[实用新型]一种抗电位诱导衰减的钝化炉使用吸笔结构有效
| 申请号： | 201520532658.7 | 申请日： | 2015-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN204792746U | 公开（公告）日： | 2015-11-18 |
| 发明（设计）人： | 陈跃;罗茂盛 | 申请（专利权）人： | 江阴鑫辉太阳能有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 杜丹盛 |
| 地址： | 215434 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种抗电位诱导衰减的钝化炉使用吸笔结构，其不会在电池片表面产生吸笔印，确保产品外观。其包括石英吸笔本体，所述石英吸笔本体的吸持部分的外端面分别依次粘贴有内层海绵垫、外层高温布垫片，所述内层海绵垫对应所述石英吸笔本体的吸持孔处开有第一贯穿孔，所述外层高温布垫片对应所述石英吸笔本体的吸持孔处开有第二贯穿孔，所述内层海绵垫的一面通过粘接剂粘贴于所述石英吸笔本体的吸持部分的外端面，所述外层高温布垫片通过粘接剂粘贴于所述内层海绵垫的另一面，所述外层高温布垫片的表面光滑柔软、可防静电。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电位 诱导 衰减 钝化 使用 结构 | ||
【主权项】：
一种抗电位诱导衰减的钝化炉使用吸笔结构，其特征在于：其包括石英吸笔本体，所述石英吸笔本体的吸持部分的外端面分别依次粘贴有内层海绵垫、外层高温布垫片，所述内层海绵垫对应所述石英吸笔本体的吸持孔处开有第一贯穿孔，所述外层高温布垫片对应所述石英吸笔本体的吸持孔处开有第二贯穿孔，所述内层海绵垫的一面通过粘接剂粘贴于所述石英吸笔本体的吸持部分的外端面，所述外层高温布垫片通过粘接剂粘贴于所述内层海绵垫的另一面，所述外层高温布垫片的表面光滑柔软、可防静电。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
