[实用新型]一种带场板的高功率高耐压半导体器件有效
| 申请号： | 201520548023.6 | 申请日： | 2015-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN204760386U | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 李春江 | 申请（专利权）人： | 成都嘉石科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/78 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰 |
| 地址： | 610000 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体技术领域，解决了现有技术中存在半导体器件在高电压下容易被击穿的技术问题，通过提供一种带场板的高功率高耐压半导体器件，包括衬底，在衬底上依次形成的成核层、缓冲层、势垒层、介质层，其特征在于，还包括排布于介质层的多指栅极、源极、漏极，还包括跨漏极两端形成有第一场板和/或跨源极和栅极的两端形成有第二场板，所述第一场板和所述第二场板采用导电氧化物材料或导电金属材料，进而实现了能够有效的提高器件输入输出功率，大大提高器件的耐压值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 带场板 功率 耐压 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种带场板的高功率高耐压半导体器件，包括衬底，在衬底上依次形成的成核层、缓冲层、势垒层、介质层，其特征在于，还包括排布于介质层的多指栅极、源极、漏极，还包括跨漏极两端形成有第一场板和/或跨源极和栅极的两端形成有第二场板，所述第一场板和所述第二场板采用导电氧化物材料或导电金属材料。
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