[实用新型]GIS稍不均匀电场的击穿特性研究模拟装置有效

专利信息
申请号: 201520551683.X 申请日: 2015-07-27
公开(公告)号: CN204789896U 公开(公告)日: 2015-11-18
发明(设计)人: 李智宁;谢剑翔;吴杰;李军浩;刘建成;蔡汉贤;罗伟良;敖昌民;邓杞绍;钟顺好 申请(专利权)人: 广州供电局有限公司;西安交通大学
主分类号: G01R31/12 分类号: G01R31/12
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 李巍
地址: 510620 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型涉及一种GIS稍不均匀电场的击穿特性研究模拟装置,高压极板接入外施电压,通过调节高压电极杆的长度来调节电场分布情况。利用高压电极模拟实际GIS的高压导杆,利用面电极模拟实际GIS的外壳,与高压电极配合形成模拟GIS内部实际的稍不均匀电场分布,以便进行电场分布可调的模拟GIS稍不均匀电场的击穿特性研究。与传统的研究方式相比,花费少且操作方便,提高了研究便利性。
搜索关键词: gis 不均匀 电场 击穿 特性 研究 模拟 装置
【主权项】:
一种GIS稍不均匀电场的击穿特性研究模拟装置,其特征在于,包括高压极板、长度可调的高压电极杆、高压电极、密封筒、面电极和地极板,所述高压极板和地极板分别设置于所述密封筒两端构成密闭的收容腔;所述高压电极杆、高压电极和面电极均位于所述收容腔内,且所述高压电极通过所述高压电极杆与所述高压极板连接,所述面电极设置于所述地极板。
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