[实用新型]一种微波裂片设备有效
申请号: | 201520554439.9 | 申请日: | 2015-07-28 |
公开(公告)号: | CN204991659U | 公开(公告)日: | 2016-01-20 |
发明(设计)人: | 柳清超;毛俭;刘洋 | 申请(专利权)人: | 沈阳硅基科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 许宗富;周秀梅 |
地址: | 110179 辽宁省沈阳*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种微波裂片设备,属于微波裂片技术领域。该设备包括硅片传送室、硅片预热腔室、硅片恒温室、微波裂片室、硅片冷却室和硅片分选区;利用本实用新型设备进行TM制程的微波裂片时,通过启动测温系统监测加热腔室内的温度,并通过控制系统控制及调节加热腔室内的温度,使微波裂片过程中各阶段的温度能够精确控制,满足硅片裂片的实际温度要求,保证制备出高质量的硅片。 | ||
搜索关键词: | 一种 微波 裂片 设备 | ||
【主权项】:
一种微波裂片设备,其特征在于:该设备包括硅片传送室、硅片预热腔室、硅片恒温室、微波裂片室、硅片冷却室和硅片分选区;其中:硅片传送室:机械手从硅片盒中取出硅片,同时机械手扫描硅片数目及位置,然后把硅片竖直放在传送室内的石英舟上,再将装载硅片的石英舟传送至硅片预热腔室;硅片预热腔室:用于对石英舟上硅片的预热;硅片恒温室:装载硅片的石英舟通过机械手传输至硅片恒温室后,对硅片进行恒温加热;微波裂片室:装载硅片的石英舟由机械手从硅片恒温室传输至微波裂片室,通过微波加热对硅片进行微波裂片;硅片冷却室:装载硅片的石英舟由机械手从微波裂片室传输至硅片冷却室,对硅片进行冷却处理;硅片分选区:机械手将装载硅片的石英舟从硅片冷却室传送至硅片分选区,选择SOI放在一个盒内,选择SOI对片放在另一个盒内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳硅基科技有限公司,未经沈阳硅基科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201520554439.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:大面积可拆卸雨水收集装置
- 下一篇:一种散热器试验台热边液体排出装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造