[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201520578444.3 | 申请日： | 2015-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN204760374U | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 强欢 | 申请（专利权）人： | 成都嘉石科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 胡川 |
| 地址： | 610000 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种半导体器件。半导体器件包括基底、外延层、栅极、源极和漏极，外延层为多层结构，外延层形成在基底上，栅极、源极和漏极形成在外延层上，且栅极位于源极和漏极之间，基底开设有第一散热孔和第二散热孔，第一散热孔位于源极下方，第一散热孔贯穿基底和外延层并与源极接触，第二散热孔位于栅极和漏极之间的下方，第二散热孔与栅极和漏极相隔预定距离。通过上述方式，本实用新型能够有效地加快散热。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括基底、外延层、栅极、源极和漏极，所述外延层为多层结构，所述外延层形成在所述基底上，所述栅极、源极和漏极形成在所述外延层上，且所述栅极位于所述源极和所述漏极之间，所述基底开设有第一散热孔和第二散热孔，所述第一散热孔位于所述源极下方，所述第一散热孔贯穿所述基底和所述外延层并与所述源极接触，所述第二散热孔位于所述栅极和所述漏极之间的下方，所述第二散热孔与所述栅极和所述漏极相隔预定距离。
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