[实用新型]芯片保护环及芯片有效
申请号: | 201520593103.3 | 申请日: | 2015-08-03 |
公开(公告)号: | CN204834615U | 公开(公告)日: | 2015-12-02 |
发明(设计)人: | 赵耀斌 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544;H01L27/06 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 100176 北京市大兴*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型提供一种芯片保护环及芯片,芯片保护环包括至少一列呈间隔层叠分布的多层第一金属层及连接相邻第一金属层的金属插塞;第一金属层及金属插塞位于芯片的介质层内;相邻两第一金属层分别自金属插塞延伸至金属插塞的两侧;且至少位于金属插塞一侧的第一金属层上设有自第一金属层表面延伸至介质层内的第一梳齿部。第一金属层上设有自第一金属层表面延伸至介质层内的第一梳齿部,所述第一梳齿部可以有效地切断裂痕的延伸路径,进而有效地避免裂痕在介质层内部向芯片功能器件区域的延伸。 | ||
搜索关键词: | 芯片 保护环 | ||
【主权项】:
一种芯片保护环,适于对芯片进行保护,所述芯片包括介质层,其特征在于,所述芯片保护环包括:至少一列呈间隔层叠分布的多层第一金属层及连接相邻所述第一金属层的金属插塞;其中所述第一金属层及所述金属插塞位于所述介质层内;相邻两第一金属层分别自所述金属插塞延伸至所述金属插塞的两侧;且至少位于所述金属插塞一侧的所述第一金属层上设有自所述第一金属层表面延伸至所述介质层内的第一梳齿部。
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