[实用新型]一种用于RRAM的存储单元片内自测电路

摘要

本实用新型涉及一种用于RRAM的存储单元片内自测电路，包括锁存模块、锁存使能模块、回写地址模块及页缓存器回写模块；锁存模块用于接收成功标志位，并在接收到锁存信号的情况下将当前地址的成功标志位采样；锁存使能模块用于在得知当前操作为当前地址的终次操作时产生锁存信号；回写地址模块用于在得知当前操作为当前地址的终次操作时从地址发生器提取当前地址信息，并发送给页缓存器回写模块；页缓存器回写模块产生回写地址信息和回写使能，并发送给页缓存器。解决了现有的存储器芯片测试方法存在耗时久，测试激励繁琐的技术问题，本实用新型能够较为真实的对片内存储阵列页进行自测统计，将损坏单元的位置信息记录反映在页缓存模块中。

主权项

一种用于RRAM的存储单元片内自测电路，其特征在于：包括锁存模块、锁存使能模块、回写地址模块以及页缓存器回写模块；所述锁存模块位于读数据通路上，用于接收验证模块发送的成功标志位，并在接收到锁存使能模块发送的锁存信号的情况下将当前地址的成功标志位采样，产生当前地址的最终操作结果；所述锁存使能模块用于在控制判断逻辑模块判断得知当前操作为当前地址的终次操作时产生锁存信号，并发送给锁存模块和页缓存器回写模块；所述回写地址模块用于在控制判断逻辑模块判断得知当前操作为当前地址的终次操作时从地址发生器提取与该终次操作所对应的当前地址信息，并发送给页缓存器回写模块；所述页缓存器回写模块用于根据收到的当前地址信息和锁存信号产生回写地址信息和回写使能，并发送给页缓存器，页缓存器根据收到的回写地址信息和回写使能，将当前地址的最终操作结果存储在页缓存器相应位置，供外部接口后续读取。