[实用新型]基于P型硅衬底的背接触式太阳能电池

摘要

本实用新型公开了一种基于P型硅衬底的背接触式太阳能电池，其包括一P型硅衬底，P型硅衬底的受光面设置有掺杂硼的p+掺杂层，受光面上设置有第一减反钝化膜；P型硅衬底的背面设置有多个掺杂硼的p+掺杂区和多个掺杂磷n+掺杂区，每一p+掺杂区中设置有一p++重掺杂区，每一n+掺杂区中设置有一n++重掺杂区，背面上设置有第二减反钝化膜，第二减反钝化膜上设置有相互绝缘的第一电极和第二电极，第一电极和第二电极分别电性连接于p++重掺杂区和n++重掺杂区。本实用新型采用P型硅片作为背接触式太阳能电池的衬底材料，P型硅片技术成熟，具有明显的成本优势。

主权项

一种基于P型硅衬底的背接触式太阳能电池，其特征在于，包括一P型硅衬底，所述P型硅衬底具有相对的一受光面和一背面，所述受光面为经过织构化处理形成的绒面，所述背面为经过平坦化处理形成的平面；所述P型硅衬底的受光面设置有掺杂硼的p+掺杂层，所述受光面上设置有第一减反钝化膜；所述P型硅衬底的背面设置有依次交替排布的多个掺杂硼的p+掺杂区和多个掺杂磷n+掺杂区，每一p+掺杂区中设置有一p++重掺杂区，每一n+掺杂区中设置有一n++重掺杂区，所述背面上设置有第二减反钝化膜，所述第二减反钝化膜上设置有相互绝缘的第一电极和第二电极，所述第一电极穿过所述第二减反钝化膜电性连接于所述p++重掺杂区，所述第二电极穿过所述第二减反钝化膜电性连接于所述n++重掺杂区。