[实用新型]高性能薄膜压力传感器有效
| 申请号： | 201520619296.5 | 申请日： | 2015-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN204944731U | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 熊辉 |
| 主分类号： | G01L9/04 | 分类号： | G01L9/04;G01L19/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100176 北京市北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高性能薄膜压力传感器，包括一个圆形金属弹性体，所述圆形金属弹性体上采用真空镀膜的方法依次制备有绝缘膜、应变电阻、引线焊盘和保护膜；所述应变电阻采用砷化镓、硫化钐、氮化镓中的一种制备成薄膜，通过光刻工艺形成四个敏感电阻在所述圆形金属弹性体上按中心轴对称分布构成惠斯通电桥电路。所述砷化镓、硫化钐、氮化镓中加入质量百分比小于5％的硅、硫、以及一种或多种稀土元素，降低电阻温度系数，提高电阻温度稳定性。与现有技术相比，由于敏感材料应变因子大于10，提高了传感器的灵敏度，同时又减小了电阻温度系数。传感器的灵敏度和电阻温度系数均优于同类产品，同时保留了薄膜压力传感器的其它优良性能。 | ||
| 搜索关键词： | 性能 薄膜 压力传感器 | ||
【主权项】：
一种高性能薄膜压力传感器，其特征在于，包括一个圆形金属弹性体(1)，所述圆形金属弹性体(1)上采用真空镀膜的方法依次制备有绝缘膜(3)、应变电阻(4)、引线焊盘(5)和保护膜(6)；所述应变电阻(4)采用砷化镓、硫化钐、氮化镓中的一种制备成薄膜，通过光刻工艺形成四个敏感电阻在所述圆形金属弹性体(1)上按中心轴对称分布构成惠斯通电桥电路。
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