[实用新型]互补金属氧化物半导体图像传感器

摘要

本实用新型公开了一种互补金属氧化物半导体图像传感器，它包括滤光片、感光工作电路单元、硅衬底、微透镜阵列、金属互联介质层、金属互联层、硅衬底外延层，微透镜阵列的每块微透镜下方对应的硅衬底外延层及对应硅衬底外延层区域内的感光工作电路单元为一个像素单元，还包括设置在硅衬底底面的硅衬底反射曲面块阵列，硅衬底反射曲面块阵列的曲面表层设有反射介质层，相邻两个像素单元之间设置有像素间隔绝势垒，每个像素间隔绝势垒向下延伸至穿过硅衬底。本实用新型能够提高光电转换量子效率，同时降低载流子信号串扰，提高图像传感器在暗场环境下的成像质量。

主权项

一种互补金属氧化物半导体图像传感器，它包括滤光片(2)、感光工作电路单元(4)、硅衬底(6)、设置在滤光片(2)顶面的微透镜阵列(1)、设置在滤光片(2)底面的金属互联介质层(3)、与感光工作电路单元(4)匹配并位于金属互联介质层(3)内的金属互联层(5)、位于硅衬底(6)顶面的硅衬底外延层(7)，感光工作电路单元(4)设置在硅衬底外延层(7)内，硅衬底外延层(7)的顶面设置在金属互联介质层(3)底面，微透镜阵列(1)的每块微透镜下方对应的硅衬底外延层(7)及对应硅衬底外延层(7)区域内的感光工作电路单元(4)为一个像素单元，其特征在于：它还包括设置在硅衬底(6)底面的硅衬底反射曲面块阵列(10)，微透镜阵列(1)中的每块微透镜与硅衬底反射曲面块阵列(10)中的每个硅衬底反射曲面块一一对应且同轴设置，硅衬底反射曲面块阵列(10)的曲面表层设有反射介质层(9)；相邻两个像素单元之间设置有像素间隔绝势垒(8)，每个像素间隔绝势垒(8)向下延伸至穿过硅衬底(6)。