[实用新型]光信息传感器件有效
申请号: | 201520628780.4 | 申请日: | 2015-08-20 |
公开(公告)号: | CN205039157U | 公开(公告)日: | 2016-02-17 |
发明(设计)人: | 黄双武;刘辰;黄麦瑞;陈洁 | 申请(专利权)人: | 苏州科阳光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203;H01L27/146 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 马明渡;王健 |
地址: | 215143 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开一种光信息传感器件,包括图像传感芯片、透明盖板,此图像传感芯片的上表面具有感光区,所述透明盖板边缘和图像传感芯片的上表面边缘之间具有支撑围堰从而在透明盖板和图像传感芯片之间形成空腔,此支撑围堰与图像传感芯片之间通过胶水层粘合,图像传感芯片下表面的四周边缘区域分布有若干个盲孔,所述支撑围堰由上下叠放的第一支撑围堰层和第二支撑围堰层组成,此第一支撑围堰层与透明盖板接触,此第二支撑围堰层与图像传感芯片接触,所述第二支撑围堰层内侧面若干个连续排列的缺口;所述盲孔由碗状孔和位于碗状孔底部的直孔组成。本实用新型能有效的缩短工艺流程,降低生产成本,减小结构应力,且有更小的深宽比,降低了工艺难度,实现了产业化。 | ||
搜索关键词: | 信息 传感 器件 | ||
【主权项】:
一种光信息传感器件,其特征在于:包括图像传感芯片(1)、透明盖板(2),此图像传感芯片(1)的上表面具有感光区(3),所述透明盖板(2)边缘和图像传感芯片(1)的上表面边缘之间具有支撑围堰(4)从而在透明盖板(2)和图像传感芯片(1)之间形成空腔(13),此支撑围堰(4)与图像传感芯片(1)之间通过胶水层(5)粘合,图像传感芯片(1)下表面的四周边缘区域分布有若干个盲孔(6),所述支撑围堰(4)由上下叠放的第一支撑围堰层(41)和第二支撑围堰层(42)组成,此第一支撑围堰层(41)与透明盖板(2)接触,此第二支撑围堰层(42)与图像传感芯片(1)接触,所述第二支撑围堰层(42)内侧面若干个连续排列的缺口(14);所述盲孔(6)由碗状孔(61)和位于碗状孔(61)底部的直孔(62)组成;所述盲孔(6)中碗状孔(61)的上开口为120~130μm,下开口为62~68μm,孔深为40~45微米;所述盲孔(6)中直孔(62)的上开口为55~60μm,下开口为45~50μm,孔深为34~36微米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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