[实用新型]一种防止半导体镀膜设备反应腔室内打火的装置有效
| 申请号： | 201520646553.4 | 申请日： | 2015-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN205388967U | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 刘忆军;凌复华;杨凌旭 | 申请（专利权）人： | 沈阳拓荆科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人： | 陈福昌 |
| 地址： | 110179 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种防止半导体镀膜设备反应腔室内打火的装置，主要解决现有的半导体镀膜设备容易在加热盘和陶瓷环间隙发生打火，从而导致整个工艺结果失败及腔体硬件损伤等问题，本实用新型提供一种防止半导体镀膜设备反应腔室内打火的装置，该装置包括加热盘，陶瓷环，所述加热盘中心设有一个凸台，凸台上镶嵌有一内侧具有带凹台阶的陶瓷环。本实用新型缩小了陶瓷环内周壁与加热盘凸台侧壁之间的间隙，避免了反应腔室内发生打火，从而可以提高反应腔室内工艺的稳定性，避免反应腔室内硬件损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 防止 半导体 镀膜 设备 反应 室内 打火 装置 | ||
【主权项】：
一种防止半导体镀膜设备反应腔室内打火的装置，其特征在于，该装置包括加热盘，陶瓷环，所述加热盘中心设有一个凸台，凸台上镶嵌有一内侧具有带凹台阶的陶瓷环，所述陶瓷环内周壁与加热盘凸台侧壁之间的间隙小于0.7mm，所述陶瓷环内径减小0.6mm。
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