[实用新型]具有单层多晶的NVDRAM

摘要

本实用新型提供了一种具有单层多晶的NVDRAM，其每个基本存储单元包括第一MOS晶体管、第二MOS晶体管、第一MOS电容和第二MOS电容；第一MOS晶体管浮栅接字线，漏端接位线，衬底是N阱；第二MOS晶体管浮栅接第一MOS电容的浮栅，第二MOS晶体管漏端接编程位线Pbit line，衬底是N阱；第一MOS电容漏端接编程字线Pword line，衬底是P阱；第二MOS电容的浮栅接电容线Cap line，衬底是N阱；第一MOS晶体管源端、第二MOS晶体管的源端和第二MOS电容的漏端相连；所述第一MOS晶体管为PMOS管或NMOS管，第二MOS晶体管为PMOS管，第一MOS电容为NMOS电容或PMOS电容，第二MOS电容为PMOS电容。本实用新型的优点是：与single poly逻辑工艺兼容，可以兼具DRAM 快速随机读取数据和NVM RAM的掉电仍保存数据的功能，既降低成本又有新功能的应用。

主权项

具有单层多晶的NVDRAM，其特征是：NVDRAM每个基本存储单元包括第一MOS晶体管、第二MOS晶体管、第一MOS电容和第二MOS电容；第一MOS晶体管浮栅接字线word line，漏端接位线bit line，衬底是N阱；第二MOS晶体管浮栅接第一MOS电容的浮栅，第二MOS晶体管漏端接编程位线Pbit line，衬底是N阱；第一MOS电容漏端接编程字线Pword line，衬底是P阱；第二MOS电容的浮栅接电容线Cap line，衬底是N阱；第一MOS晶体管源端、第二MOS晶体管的源端和第二MOS电容的漏端相连；所述第一MOS晶体管为PMOS管或NMOS管，第二MOS晶体管为PMOS管，第一MOS电容为NMOS电容或PMOS电容，第二MOS电容为PMOS电容。