[实用新型]一种新型MOS管有效
| 申请号： | 201520687900.8 | 申请日： | 2015-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN204927268U | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | 李锋华 | 申请（专利权）人： | 深圳市茂钿科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/053 | 分类号： | H01L23/053;H01L23/373 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518100 广东省深圳市南山区科技*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种半导体器件技术领域，尤其涉及一种新型MOS管。通过在新型MOS管的所述底板底部设置一镀锡层。在安装过程中，底板朝向PCB板，及相当于利用了MOS管与PCB板之间的孔隙形成一镀锡层，镀锡层的传导效率较高，因为其散热效率也较高，增强MOS管的散热效率，在保存同等散热效率的前提下，镀锡层占用较薄的空间，有利于产品进行超薄化设计。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 mos | ||
【主权项】：
一种新型MOS管，其特征在于：包括半导体器件；设置有复数个引脚；底板，盖板，所述底板与所述盖板之间形成一用以容纳所述半导体器件的空腔，所述空腔预制有用以贯通所述引脚的槽口；其中，于所述底板底部设置一镀锡层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市茂钿科技有限公司，未经深圳市茂钿科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201520687900.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：改良的载板级嵌入式半导体封装结构
- 下一篇：一种太阳能硅片水中分片装置
