[实用新型]一种用于高光谱成像的波段选择性增强量子阱红外焦平面有效
申请号: | 201520736394.7 | 申请日: | 2015-09-22 |
公开(公告)号: | CN205039169U | 公开(公告)日: | 2016-02-17 |
发明(设计)人: | 李志锋;景友亮;陆卫;李宁;陈效双;陈平平;李天信;王文娟;甄红楼;王少伟 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L27/146;G01J5/20 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本专利公开了一种用于高光谱成像的波段选择性增强量子阱红外焦平面。将等离激元微腔集成到QWIP焦平面像元,该微腔能够有效地捕获入射光子,将其局域在等离激元微腔内形成横向传播的法布里-珀罗共振驻波,并且与微腔中的QWIP耦合转化为光电流从而提升焦平面器件的响应率性能。共振驻波的中心波长取决于微腔的几何尺寸,在不同的焦平面像元上设计制备不同尺寸的微腔将使像元的响应峰值波长也各不相同,形成像元的波段选择性响应。将所选择的波段与高光谱分光波段相对应地分布在焦平面像元上,使高光谱成像应用中各波段的像元响应率得的选择性提升,从而提升整个高光谱成像焦平面的探测灵敏度。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 光谱 成像 波段 选择性 增强 量子 红外 平面 | ||
【主权项】:
一种用于高光谱成像的波段选择性增强量子阱红外焦平面,其结构为:以入射光经过先后为序依次是金属阵列层(1),QWIP焦平面像元(2),下层金属反射层(3),焦平面倒焊互联铟柱层(4),其特征在于:所述的金属阵列层(1)中,其阵列单元包含金属方块或金属条,在金属方块的情况下,为周期为p、线宽为s、厚度为h1的二维周期排列的金属方块阵列;在金属条的情况下,为周期为p、线宽为s、厚度为h1的一维周期排列的金属条阵列;所述周期p的数值不大于焦平面像元中心距14‑30微米,所述线宽s的范围为探测波长的十分之一到十分之十之间,所述厚度h1应不小于以微米为单位的探测波长的平方根的0.0048倍。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海技术物理研究所,未经中国科学院上海技术物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201520736394.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种发射管和光敏接收管
- 下一篇:一种旋转阳极球管的启动装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的