[实用新型]双向可控硅过零触发电路

摘要

本实用新型涉及一种双向可控硅过零触发电路，包括三极管T1、光电耦合双向可控硅驱动器、双向可控硅BCR和RC阻容吸收电路，所述三极管T1的基极接入脉冲信号，且三极管T1的基极上连接有基极偏置电阻R1，三极管T1的发射极连接直流电平，三极管T1的集电极连接光电耦合双向可控硅驱动器的输入端，且三极管T1的集电极上连接有集电极供电电阻R2，光电耦合双向可控硅驱动器的第一输出端连接双向可控硅BCR，其第二输出端连接触发限流电阻R3，双向可控硅BCR的两个主电极之间并联RC阻容吸收电路，双向可控硅BCR的门极连接有门极电阻R4。本实用新型工作稳定、安全、可靠性高，适用于单片机控制系统的交流负载控制电路，可以控制电炉、交流电机等大功率交流设备。

主权项

一种双向可控硅过零触发电路，其特征在于：包括三极管T1、光电耦合双向可控硅驱动器(1)、双向可控硅BCR(2)和RC阻容吸收电路(3)，所述三极管T1的基极接入脉冲信号，且三极管T1的基极上连接有基极偏置电阻R1，三极管T1的发射极连接直流电平，三极管T1的集电极连接光电耦合双向可控硅驱动器(1)的输入端，且三极管T1的集电极上连接有集电极供电电阻R2，光电耦合双向可控硅驱动器(1)的第一输出端连接双向可控硅BCR(2)，其第二输出端连接触发限流电阻R3，双向可控硅BCR(2)的两个主电极之间并联RC阻容吸收电路(3)，双向可控硅BCR(2)的门极连接有门极电阻R4。