[实用新型]微集成传感器和电子设备有效

专利信息
申请号: 201520746433.1 申请日: 2015-09-24
公开(公告)号: CN205346826U 公开(公告)日: 2016-06-29
发明(设计)人: A·皮科 申请(专利权)人: 意法半导体股份有限公司
主分类号: B81B3/00 分类号: B81B3/00;B81B7/00;B81B7/02
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;张宁
地址: 意大利阿格*** 国省代码: 意大利;IT
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摘要: 本公开涉及微集成传感器和电子设备,微集成传感器包括由半导体材料的传感器层、半导体材料的盖帽层、以及绝缘层形成的堆叠。传感器层和盖帽层具有围绕中心部分的相应外周部分,以及绝缘层延伸在传感器层和盖帽层的外周部分之间。气隙延伸在传感器层和保护层的中心部分之间。穿通沟槽延伸进入传感器层的中心部分中直至气隙,并且围绕了容纳敏感元件的平台。盖帽层具有在绝缘层中的穿通孔,从气隙延伸并且形成了与气隙和穿通沟槽的流体路径。
搜索关键词: 集成 传感器 电子设备
【主权项】:
一种微集成传感器,其特征在于,包括:堆叠,具有第一表面和第二表面,所述堆叠包括:传感器层,在所述第一表面处,所述传感器层包括围绕中心部分的外周部分,所述中心部分包括容纳敏感元件的平台;盖帽层,在所述第二表面处,所述盖帽层包括外周部分和中心部分,所述盖帽层的所述中心部分包括多个穿通孔;以及绝缘层,位于所述盖帽层和所述传感器层的外周部分之间;以及气隙,位于所述盖帽层和所述传感器层的中心部分之间;以及多个穿通沟槽,在所述传感器层的所述中心部分中,所述多个穿通沟槽一起围绕容纳所述敏感元件的所述平台,其中所述多个穿通孔、所述气隙和所述多个穿通沟槽形成去往所述敏感元件的流体路径。
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