[实用新型]针扎光电二极管以及电子器件有效
| 申请号： | 201520748643.4 | 申请日： | 2015-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN205355067U | 公开（公告）日： | 2016-06-29 |
| 发明（设计）人： | L·法韦内克;D·迪塔特;F·鲁瓦 | 申请（专利权）人： | 意法半导体有限公司;意法半导体（克洛尔2）公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;吕世磊 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本公开涉及针扎光电二极管以及电子器件，该针扎光电二极管包括：第一导电类型的转换区域，形成在第二导电类型的衬底上，所述转换区域被配置成将光子转换成电荷；所述第二导电类型的扩散层，形成在所述转换区域上；和重掺杂绝缘体层，所述重掺杂绝缘体层涂覆所述扩散层，所述重掺杂绝缘体层是所述第二导电类型的。 | ||
| 搜索关键词： | 光电二极管 以及 电子器件 | ||
【主权项】：
一种针扎光电二极管，其特征在于，包括：第一导电类型的转换区域，形成在第二导电类型的衬底上，所述转换区域被配置成将光子转换成电荷；所述第二导电类型的扩散层，形成在所述转换区域上；和重掺杂绝缘体层，所述重掺杂绝缘体层涂覆所述扩散层，所述重掺杂绝缘体层是所述第二导电类型的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
