[实用新型]一种基于多重栅极结构的金氧半场效晶体管有效
| 申请号： | 201520752627.2 | 申请日： | 2015-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN205016533U | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 庄秉翰;叶念慈 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 连耀忠 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于多重栅极结构的金氧半场效晶体管，包括一N基P通道或P基N通道的衬底，且N基P通道衬底的两P+区或P基N通道衬底的两N+区上方分别引出有源极和漏极，于源极和漏极之间设有氧化层，氧化层上方设置若干子栅极，该些子栅极由源极向漏极方向分立间隔排布以形成多重栅极结构，其中各子栅极分别包括多晶硅层及设于多晶硅层上方的电极层。衬底还包括若干设置于两P+区或两N+区之间且与通道同等类型的掺杂区，各掺杂区一一对应于相邻子栅极的间隙下方。相较于传统单一栅极的结构，上述多重栅极可以有效的分散电场，从而抑制栅极旁产生的强电场导致的崩压现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 多重 栅极 结构 半场 晶体管 | ||
【主权项】：
一种基于多重栅极结构的金氧半场效晶体管，包括一N基P通道或P基N通道的衬底，且N基P通道衬底的两P+区或P基N通道衬底的两N+区上方分别引出有源极和漏极，其特征在于：于衬底上方所述源极和漏极之间设有氧化层，氧化层上方设置若干子栅极，该些子栅极由所述源极向漏极方向分立间隔排布以形成多重栅极结构，其中各子栅极分别包括多晶硅层及设于多晶硅层上方的电极层；所述衬底还包括若干设置于两P+区或两N+区之间且与通道同等类型的掺杂区，所述各掺杂区一一对应于相邻子栅极的间隙下方。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门市三安集成电路有限公司，未经厦门市三安集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201520752627.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高强度防断栅电池片
- 下一篇：一种具有万用型封装金属片的电晶体封装件
- 同类专利
- 专利分类
