[实用新型]一种具有多重栅极结构的晶体管有效
| 申请号： | 201520752996.1 | 申请日： | 2015-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN205016531U | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 叶念慈 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/43;H01L29/423 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 连耀忠 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有多重栅极结构的晶体管，包括由下至上依次层叠的衬底、缓冲层、GaN形成的沟道层及AlGaN或InAlGaN形成的势垒层，势垒层上设置有源极、漏极及位于两者之间的若干子栅极，该些子栅极由源极向漏极方向分立间隔排布以形成多重栅极结构，各子栅极包括由p型Al1-xGaxN或p型In1-y-zGayAlzN形成的栅极接触层，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，且栅极接触层与势垒层间形成接触面。相较于传统单一栅极的结构，上述多重栅极可以有效的分散电场，从而抑制栅极旁产生的强电场导致的崩压现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 多重 栅极 结构 晶体管 | ||
【主权项】：
一种具有多重栅极结构的晶体管，包括由下至上依次层叠的衬底、缓冲层、GaN形成的沟道层及AlGaN或InAlGaN形成的势垒层，势垒层上设置有源极及漏极，其特征在于：于势垒层上所述源极和漏极之间设置有若干子栅极，该些子栅极由所述源极向漏极方向分立间隔排布以形成多重栅极结构，且栅极接触层与势垒层间形成接触面。
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