[实用新型]N型双面电池有效
申请号: | 201520758996.2 | 申请日: | 2015-09-28 |
公开(公告)号: | CN204966513U | 公开(公告)日: | 2016-01-13 |
发明(设计)人: | 张松;王培然;刘超;夏世伟;季海晨 | 申请(专利权)人: | 上海大族新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 何冲 |
地址: | 201615 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种N型双面电池。该N型双面电池包括N型硅片、第一钝化减反射膜层、第一电极、第二钝化减反射膜层及第二电极;第一绒面侧包括p+掺杂区域和p++重掺杂区域,p+掺杂区域形成于第一绒面上,p++重掺杂区域与p+掺杂区域接触相邻,p++重掺杂区域延伸至N型硅片内,第二绒面侧包括n+掺杂区域和n++重掺杂区域,n+掺杂区域形成于第二绒面上,n++重掺杂区域与n+掺杂区域接触相邻,n++重掺杂区域延伸至所述N型硅片内;第一钝化减反射膜层覆盖p+掺杂区域和p++重掺杂区域,第二钝化减反射膜层覆盖n+掺杂区域和n++重掺杂区域;第一电极和第二电极分别位于第一钝化减反射膜层和第二钝化减反射膜层上。上述N型双面电池,能提高电池转换率。 | ||
搜索关键词: | 双面 电池 | ||
【主权项】:
一种N型双面电池,其特征在于,包括:N型硅片,所述N型硅片具有第一绒面和第二绒面,所述N型硅片的第一绒面侧包括p+掺杂区域和p++重掺杂区域,所述p+掺杂区域形成于所述第一绒面上,所述p++重掺杂区域与所述p+掺杂区域接触相邻,且所述p++重掺杂区域的顶部表面与所述p+掺杂区域的顶部表面齐平,所述p++重掺杂区域延伸至所述N型硅片内,所述N型硅片的第二绒面侧包括n+掺杂区域和n++重掺杂区域,所述n+掺杂区域形成于所述第二绒面上,所述n++重掺杂区域与所述n+掺杂区域接触相邻,且所述n++重掺杂区域的顶部表面与所述n+掺杂区域的顶部表面齐平,所述n++重掺杂区域延伸至所述N型硅片内;第一钝化减反射膜层和第二钝化减反射膜层,所述第一钝化减反射膜层覆盖所述p+掺杂区域和所述p++重掺杂区域,所述第二钝化减反射膜层覆盖所述n+掺杂区域和所述n++重掺杂区域;以及第一电极和第二电极,所述第一电极和所述第二电极分别位于所述第一钝化减反射膜层和所述第二钝化减反射膜层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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