[实用新型]基于双口Flash控制器的Nand Flash坏列管理设备有效
| 申请号： | 201520761263.4 | 申请日： | 2015-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN204945995U | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | 李永军;杨松;杨磊;邱礼胜;曾伟军;李慈航;唐棋 | 申请（专利权）人： | 成都嘉泰华力科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G06F12/02 | 分类号： | G06F12/02;G06F7/58 |
| 代理公司： | 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 | 代理人： | 袁英 |
| 地址： | 610041 四川省成都市高新*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于双口Flash控制器的Nand Flash坏列管理设备，包括双口Flash控制器、伪随机数发生器、数据比较器、坏列控制器和Nand Flash缓冲器；所述双口Flash控制器设置在FPGA芯片内，双口Flash控制器连接有多个双口存储器，双口Flash控制器包括多个通道，多个通道分别与多个双口存储器一一对应连接；所述伪随机数发生器的输出分别与数据比较器和双口Flash控制器的输入连接，双口Flash控制器的输出与数据比较器的输入连接，数据比较器的输出与坏列控制器的输入连接，双口Flash控制器分别与坏列控制器和Nand Flash连接进行数据交换，坏列控制器与Nand Flash缓冲器连接进行数据交换。本实用新型能够延长Nand Flash的使用寿命，扩大Nand Flash的存储容量。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 flash 控制器 nand 管理 设备 | ||
【主权项】：
基于双口Flash控制器的Nand Flash坏列管理设备，其特征在于：包括双口Flash控制器、伪随机数发生器、数据比较器、坏列控制器和Nand Flash缓冲器； 所述双口Flash控制器设置在FPGA芯片内，双口Flash控制器连接有多个双口存储器，双口Flash控制器包括多个通道，多个通道分别与多个双口存储器一一对应连接；所述伪随机数发生器的输出分别与数据比较器和双口Flash控制器的输入连接，双口Flash控制器的输出与数据比较器的输入连接，数据比较器的输出与坏列控制器的输入连接，双口Flash控制器分别与坏列控制器和Nand Flash连接进行数据交换，坏列控制器与Nand Flash缓冲器连接进行数据交换。
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