[实用新型]非易失性存储单元与存储器件

摘要

本实用新型涉及非易失性存储单元与存储器件，所公开的实施例包含电容器、隧穿增强型器件及晶体管。根据一种实施例，电容器具有第一及第二电极，其中该电容器的第一电极用作存储器件的控制栅极。隧穿增强型器件具有第一电极和第二电极，其中第二电容器的第一电极用作存储器件的擦除栅极，并且隧穿增强型器件的第二电极耦接至电容器的第二电极以形成浮置栅极。该晶体管具有控制电极和一对载流电极，其中该晶体管的控制电极与浮置栅极直接耦接。

主权项

一种非易失性存储单元，其特征在于包含：具有主表面的为第一导电类型的半导体材料；在所述半导体材料的第一部分内的第一隔离区以及在所述半导体材料的第二部分内的第二隔离区，所述第一隔离区具有第一面及第二面，所述第二隔离区具有第一面及第二面，其中所述半导体材料的与所述第一隔离区的所述第一面相邻的部分用作第一有源区，所述半导体材料在所述第一隔离区的所述第二面与所述第二隔离区的所述第一面之间的部分用作第二有源区，并且所述半导体材料的与所述第二隔离区的所述第二面相邻的部分用作第三有源区；由所述第一有源区形成的第一电容器，所述第一电容器具有第一电极及第二电极，所述第一电容器的所述第一电极用作控制栅极；由所述第二有源区形成的隧穿增强型器件，所述隧穿增强型器件具有第一电极和第二电极，所述隧穿增强型器件的所述第一电极用作擦除栅极，并且所述隧穿增强型器件的所述第二电极与所述第一电容器的所述第二电极耦接以形成浮置栅极；以及由所述第三有源区形成的状态晶体管，所述状态晶体管具有控制电极、第一载流电极及第二载流电极，所述状态晶体管的所述控制电极直接耦接至所述浮置栅极。