[实用新型]电流感测装置有效
| 申请号： | 201520770627.5 | 申请日： | 2015-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN205080180U | 公开（公告）日： | 2016-03-09 |
| 发明（设计）人： | 王飞 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 张伟;王英 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种电流感测装置。根据本实用新型的一个实施例，所述电流感测装置包括：感测MOSFET；功率MOSFET；以及补偿MOSFET，其中，所述补偿MOSFET的漏极和所述功率MOSFET的漏极连接在一起，所述感测MOSFET的栅极和所述功率MOSFET的栅极连接在一起，并且所述补偿MOSFET被配置为对由所述感测MOSFET与所述功率MOSFET的单位指状分支宽度的不同而引起的漏极端寄生电阻差进行补偿，其中所述感测MOSFET、所述功率MOSFET以及所述补偿MOSFET都是LD-MOSFET器件。通过采用根据本实用新型的电流感测装置，能够通过对流过感测MOSFET的电流进行检测来精确地确定流过功率MOSFET的电流。 | ||
| 搜索关键词： | 流感 装置 | ||
【主权项】：
一种电流感测装置，包括：感测MOSFET；功率MOSFET；以及补偿MOSFET，其中，所述补偿MOSFET的漏极和所述功率MOSFET的漏极连接在一起，所述感测MOSFET的栅极和所述功率MOSFET的栅极连接在一起，并且所述补偿MOSFET被配置为对由所述感测MOSFET与所述功率MOSFET的单位指状分支宽度的不同而引起的漏极端寄生电阻差进行补偿，其中所述感测MOSFET、所述功率MOSFET以及所述补偿MOSFET都是LD‑MOSFET器件。
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