[实用新型]一种横向高压功率半导体器件有效
| 申请号： | 201520778971.9 | 申请日： | 2015-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN205092246U | 公开（公告）日： | 2016-03-16 |
| 发明（设计）人： | 王坤祥 | 申请（专利权）人： | 王坤祥 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 617000 四川省攀*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型属于半导体技术领域，具体的说涉及一种横向高压功率半导体器件。本实用新型提供的高压器件在N型半导体漂移区中形成P型半导体降场层，并在P型半导体降场层上表面形成N型半导体重掺杂层，在P型半导体降场层下表面形成N型半导体轻掺杂层。开态时，高浓度的重掺杂层为高压期间提供了大量的多数载流子，在器件表面形成一个低阻的导电通道，可以极大地减小器件导通电阻，从而大大的降低工艺成本。关态时，漏极金属加高压，P型半导体降场层和P型半导体衬底辅助耗尽N型半导体漂移区和N型半导体轻掺杂层，使得器件获得较大的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 高压 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种横向高压功率半导体器件，包括P型半导体衬底(1)、N型半导体漂移区(2)、P型半导体体区(3)、P型半导体降场层(4)、场氧化层(6)、栅氧化层(7)、多晶硅栅电极(8)、金属前介质(9)、N型半导体漏区(10)、N型半导体源区(11)、P型半导体体接触区(12)、源极金属(13)和漏极金属(14)，所述N型半导体漂移区(2)和P型半导体体区(3)位于P型半导体衬底(1)上层两端；所述N型半导体源区(11)和P型半导体体接触区(12)相互连接并位于P型半导体体区(3)上层，其中N型半导体源区(11)位于靠近N型半导体漂移区(2)的一侧；所述源极金属(13)位于N型半导体源区(11)和P型半导体体接触区(12)的上表面；所述P型半导体降场层(4)位于N型半导体漂移区(2)中；所述场氧化层(6)位于N型半导体漂移区(2)上表面；所述N型半导体漏区(10)位于N型半导体漂移区(2)上层远离P型半导体体区(3)的一侧；所述漏极金属(14)位于N型半导体漏区(10)的上表面；所述栅氧化层(7)位于部分N型半导体源区(11)上表面及场氧化层(6)与N型半导体源区(11)之间的器件上表面，所述多晶硅栅电极(8)位于栅氧化层(7)的上表面并沿氧化层(6)上表面向靠近N型半导体漏区(10)的一侧延伸；所述源极金属(13)和漏极金属(14)之间的器件表面具有金属前介质(9)；所述源极金属(13)沿金属前介质(9)上表面向靠近漏极金属(14)的一侧延伸；所述漏极金属(14)沿金属前介质(9)上表面向靠近源极金属(13)的一侧延伸；其特征在于，所述N型半导体漂移区(2)中还具有N型半导体重掺杂层(51)和N型半导体轻掺杂层(52)；所述N型半导体重掺杂层(51)位于P型半导体降场层(4)与氧化层(6)之间；所述N型半导体轻掺杂层(52)位于P型半导体降场层(4)正下方，所述P型半导体降场层(4)的下表面与N型半导体轻掺杂层(52)的上表面连接。
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