[实用新型]含定向扩散结的肖特基器件有效
| 申请号： | 201520792159.1 | 申请日： | 2015-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN204966511U | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | 洪旭峰;王锰 | 申请（专利权）人： | 上海芯石微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201605 上海市松*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 含定向扩散结的肖特基器件。P型岛区将占用15%以上的肖特基势垒区面积，影响JBS肖特基器件的参数性能，现在很多芯片加工厂，不能制作出性能优良的JBS肖特基器件。本实用新型组成包括：硅单晶基片（1），所述的硅单晶基片上具有外延层（2），所述的外延层上设置有肖特基势垒区（3），所述的肖特基势垒区与一组台面凸点P型区（4）配合，所述的肖特基势垒区上部装有阳极金属层（8），所述的阳极金属层两侧设置有金属场板（6），所述的阳极金属层两侧与厚氧化层（7）连接，所述的厚氧化层下部装有P+环（5），所述的硅单晶基片下部装有阴极金属层（9）。本实用新型用于制造含定向扩散结的肖特基器件。 | ||
| 搜索关键词： | 定向 扩散 肖特基 器件 | ||
【主权项】：
一种含定向扩散结的肖特基器件，其组成包括：硅单晶基片，其特征是：所述的硅单晶基片上具有外延层，所述的外延层上设置有肖特基势垒区，所述的肖特基势垒区与一组台面凸点P型区配合，所述的肖特基势垒区上部装有阳极金属层，所述的阳极金属层两侧设置有金属场板，所述的阳极金属层两侧与厚氧化层连接，所述的厚氧化层下部装有P+环，所述的硅单晶基片下部装有阴极金属层。
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