[实用新型]一种用于拉制区熔8－12寸硅单晶的热场结构有效
| 申请号： | 201520811484.8 | 申请日： | 2015-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN205035490U | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 娄中士;刘琨;石海涛;杨旭洲;郝大维;刘铮;张雪囡;由佰玲;王彦君 | 申请（专利权）人： | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B13/20 | 分类号： | C30B13/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 陈雅洁 |
| 地址： | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种用于拉制区熔8－12寸硅单晶的热场结构，包括尖角线圈、中热屏和下热屏，所述尖角线圈位于炉体内多晶棒料与单晶棒料之间的熔区处，所述尖角线圈为一圆形线圈，圆形线圈的中心处设置有线圈眼，圆形线圈外缘与所述线圈眼之间设置有若干条以圆形线圈中心为起点呈圆周分布的线圈缝，所述相邻两线圈缝之间的线圈形成尖角台阶，所述炉体内设置有环形钢板，所述钢板上端固定有中热屏，所述钢板下端固定有下热屏。本实用新型所述的用于拉制区熔8－12寸硅单晶的热场结构通过尖角线圈的设置，可增强线圈对原料的化料能力，可降低线圈功率，避免或降低因功率高而导致的拉晶腰型差；通过中热屏与下热屏的设置，可降低位错产生的可能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 拉制 12 寸硅单晶 结构 | ||
【主权项】：
一种用于拉制区熔8‑12寸硅单晶的热场结构，其特征在于：包括尖角线圈(1)、中热屏(2)和下热屏(3)；所述尖角线圈(1)位于炉体内多晶棒料(6)与单晶棒料(5)之间的熔区处，所述尖角线圈(1)为一圆形线圈，所述圆形线圈的中心处设置有通孔，所述通孔称为线圈眼(11)，所述圆形线圈外缘与所述线圈眼(11)之间设置有若干条以圆形线圈中心为起点呈圆周分布的线圈缝，所述线圈缝包括一条主缝(13)和若干条副缝(14)，所述主缝(13)一端与所述线圈眼(11)相连通，所述主缝(13)另一端延伸至所述圆形线圈的外缘处，所述副缝(14)的长度短于所述主缝(13)的长度，所述副缝(14)一端与所述线圈眼(11)相连通，所述副缝(14)另一端未延伸至尖角线圈(1)的外缘处，所述相邻两线圈缝之间的线圈形成纵截面为一矩形和一三角形相连的尖角台阶(12)，所述矩形的侧边与所述三角形的底边相连，且所述矩形与所述三角形相连边的长度相等；所述炉体内设置有环形钢板(4)，所述环形钢板(4)位于所述单晶棒料(5)外侧，所述钢板(4)上端固定有中热屏(2)，所述中热屏(2)为一圆柱形筒体，所述钢板(4)下端固定有下热屏(3)，所述下热屏(3)为一直径从下到上逐渐减小的锥形筒体。
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