[实用新型]一种提高区熔硅单晶轴向与径向电阻率均匀性的反射环有效
| 申请号： | 201520811845.9 | 申请日： | 2015-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN205035488U | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 刘铮;王遵义;娄中士;韩暐;涂颂昊;孙昊;王彦君;张雪囡;由佰玲 | 申请（专利权）人： | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B13/16 | 分类号： | C30B13/16;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 陈雅洁 |
| 地址： | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种提高区熔硅单晶轴向与径向电阻率均匀性的反射环，包括保温筒、冷却水管道和掺杂管道，所述保温筒筒体外壁上套设有环形的冷却水管道，所述冷却水管道上设置有进水口和出水口，所述筒体外壁上紧挨冷却水管道下端处，套设有环形的掺杂管道，所述掺杂管道上设有若干个管道进气口，所述筒体的筒壁上设有若干个与所述掺杂管道相连通的筒体进气口。本实用新型所述的提高区熔硅单晶轴向与径向电阻率均匀性的反射环可以减小炉内氩气对流对掺杂浓度的影响，提高了轴向电阻率均匀性；可以减小自由熔体表面中心与边缘的掺杂浓度差，提高了径向电阻率均匀性；而且局部掺杂浓度升高，提高掺杂效率，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 区熔硅单 晶轴 径向 电阻率 均匀 反射 | ||
【主权项】：
一种提高区熔硅单晶轴向与径向电阻率均匀性的反射环，其特征在于：包括保温筒(1)、冷却水管道(2)和掺杂管道(3)，所述保温筒(1)为一圆柱形筒体，所述筒体的外壁上套设有环形的冷却水管道(2)，所述冷却水管道(2)位于所述筒体上部，所述冷却水管道(2)上设置有进水口(21)和出水口(22)，所述筒体外壁上紧挨冷却水管道(2)下端处，套设有环形的掺杂管道(3)，所述掺杂管道(3)上设有若干个管道进气口(31)，所述筒体的筒壁上设有若干个与所述掺杂管道(3)相连通的筒体进气口(11)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津市环欧半导体材料技术有限公司，未经天津市环欧半导体材料技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201520811845.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于长晶炉且具有手动和自动调节功能的升降机架
- 下一篇：电解锰补液装置
