[实用新型]一种稳压半导体二极管有效
| 申请号： | 201520819303.6 | 申请日： | 2015-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN205028901U | 公开（公告）日： | 2016-02-10 |
| 发明（设计）人： | 许霞林 | 申请（专利权）人： | 深圳市九鼎安电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518116 广东省深圳市龙岗区龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种稳压半导体二极管，包括半导体二极管，该半导体二极管包括阳极导杆和阴极导杆，该半导体二极管内设置有连接阳极导杆的第一重掺杂区以及连接阴极导杆的第二重掺杂区，该半导体二极管端面上还设置有由氮化硅构成的保护膜，该保护膜设置于阳极导杆和阴极导杆之间，该第一重掺杂区包括氮化物半导体和金属层，氮化物半导体和金属层之间欧姆接触，在半导体二极管外端面上还可以连接稳压电路芯片，该稳压电路芯片并联在半导体二极管上。得到的一种稳压半导体二极管，能够使得在设置了保护膜时的反向泄漏电流非常小，能够实现降低了正向启动电压而减少了导通损耗的二极管，确保其电流和电压在正常范围，使得发光二极管的使用寿命长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 稳压 半导体 二极管 | ||
【主权项】：
一种稳压半导体二极管，其特征在于：包括半导体二极管，该半导体二极管包括阳极导杆和阴极导杆，该半导体二极管内设置有连接阳极导杆的第一重掺杂区以及连接阴极导杆的第二重掺杂区， 该半导体二极管端面上还设置有由氮化硅构成的保护膜，该保护膜设置于阳极导杆和阴极导杆之间，该第一重掺杂区包括氮化物半导体和金属层，氮化物半导体和金属层之间欧姆接触，在半导体二极管外端面上还可以连接稳压电路芯片，该稳压电路芯片并联在半导体二极管上。
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