[实用新型]一种复合衬底具有其的GaN基LED芯片有效
| 申请号： | 201520843683.7 | 申请日： | 2015-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN205092261U | 公开（公告）日： | 2016-03-16 |
| 发明（设计）人： | 冯猛;陈立人;刘恒山 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种复合衬底，所述复合衬底包括彼此复合的第一衬底和第二衬底，其中，所述第一衬底包括上表面及与上表面相背的下表面，所述第一衬底的上表面用于生长GaN外延层，所述第一衬底的下表面用于与所述第二衬底复合，所述第二衬底的热膨胀系数小于3×10-6/K。与现有技术相比，本实用新型的复合衬底包括彼此复合的第一衬底和第二衬底，其中，第二衬底为低热膨胀系数材料。低热膨胀系数的材料可以缓解衬底材料在高低温变换时发生的形变量，从而减少GaN基LED外延片的翘曲，以及减少其内部应力。因此，复合衬底可减少GaN与衬底之间由于热失配导致的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 衬底 具有 gan led 芯片 | ||
【主权项】：
一种复合衬底，其特征在于，所述复合衬底包括彼此复合的第一衬底和第二衬底，其中，所述第一衬底包括上表面及与上表面相背的下表面，所述第一衬底的上表面用于生长GaN外延层，所述第一衬底的下表面用于与所述第二衬底复合，所述第二衬底的热膨胀系数小于3×10‑6/K。
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