[实用新型]熔射遮敝塞子有效
| 申请号： | 201520844668.4 | 申请日： | 2015-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN205115586U | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 李澄盛 | 申请（专利权）人： | 世平科技(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518106 广东省深圳市光明新区公明办*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种熔射遮敝塞子。熔射遮敝塞子包括塞子本体，用以塞入半导体设备的零件的表面凹洞内，其中当所述半导体设备的零件的表面被进行熔射处理时，所述塞子本体是塞入所述半导体设备的零件的表面凹洞内，以遮敝所述表面凹洞，避免熔射处理影响零件的表面凹洞结构。 | ||
| 搜索关键词： | 遮敝 塞子 | ||
【主权项】：
一种熔射遮敝塞子，其特征在于：所述熔射遮敝塞子包括：塞子本体，用以塞入半导体设备的零件的表面凹洞内，其中当所述半导体设备的零件的表面被进行熔射处理时，所述塞子本体是塞入所述半导体设备的零件的表面凹洞内，以遮敝所述表面凹洞。
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