[实用新型]一种扇出型封装结构有效
| 申请号： | 201520869747.0 | 申请日： | 2015-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN205069594U | 公开（公告）日： | 2016-03-02 |
| 发明（设计）人： | 林正忠;蔡奇风 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/488;H01L23/498;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种扇出型封装结构，包括：再分布引线层；键合于所述再分布引线层上表面并与所述再分布引线层电连接的至少一个第一芯片；与所述再分布引线层电连接且顶部高于所述第一芯片的至少两个第一凸块结构；覆盖所述第一芯片，且暴露出所述第一凸块结构的上端的塑封层；以及制作于所述再分布引线层下表面的第二凸块结构。本实用新型中，所述塑封层不仅起到塑封作用，其结合所述第一凸块结构，可以替代TSV结构，实现堆叠型封装，相对于复杂的TSV制作流程，该类TSV结构更易制备，有利于简化工艺流程，降低成本。由于所述第一凸块结构嵌于所述塑封层中且暴露出上端，使得堆叠型封装更容易实现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 扇出型 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种扇出型封装结构，其特征在于，包括：再分布引线层；键合于所述再分布引线层上表面并与所述再分布引线层电连接的至少一个第一芯片；与所述再分布引线层电连接且顶部高于所述第一芯片的至少两个第一凸块结构；覆盖所述第一芯片，且暴露出所述第一凸块结构的上端的塑封层；以及制作于所述再分布引线层下表面的第二凸块结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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