[实用新型]一种镓氮雪崩光电二极管组件有效
| 申请号： | 201520885759.2 | 申请日： | 2015-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN205092255U | 公开（公告）日： | 2016-03-16 |
| 发明（设计）人： | 吕志勤;吕强;黄臻 | 申请（专利权）人： | 中蕊（武汉）光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 庞红芳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖新*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种镓氮雪崩光电二极管组件，所述镓氮雪崩光电二极管组件包括：镓氮雪崩光电二极管和形成于所述镓氮雪崩光电二极管的衬底的背面的超材料，以使入射光通过超材料之后再进入所述镓氮雪崩光电二极管；所述超材料的电磁共振波长位于280nm-365nm之间。本实用新型采用生长工艺和制作技术相对成熟的GaN材料，通过在GaN雪崩光电二极管的衬底背面制作超材料将非日盲紫外光大幅吸收，显著减小了非日盲紫外光的干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 雪崩 光电二极管 组件 | ||
【主权项】：
一种镓氮雪崩光电二极管组件，其特征在于，所述镓氮雪崩光电二极管组件包括：镓氮雪崩光电二极管和形成于所述镓氮雪崩光电二极管的衬底的背面的超材料，以使入射光通过超材料之后再进入所述镓氮雪崩光电二极管；所述超材料的电磁共振波长位于280nm‑365nm之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
