[实用新型]一种半导体电嘴放电端结构及具有其的半导体电嘴有效
申请号: | 201520911098.6 | 申请日: | 2015-11-16 |
公开(公告)号: | CN205117514U | 公开(公告)日: | 2016-03-30 |
发明(设计)人: | 万思明;胡冬兰 | 申请(专利权)人: | 陕西航空电气有限责任公司 |
主分类号: | F02C7/266 | 分类号: | F02C7/266 |
代理公司: | 北京航信高科知识产权代理事务所(普通合伙) 11526 | 代理人: | 刘丽萍 |
地址: | 713107 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种半导体电嘴放电端结构及具有其的半导体电嘴。所述半导体电嘴放电端结构包括:中心电极放电端(1);半导体块(2),所述半导体块(2)中空,所述中心电极放电端(1)设置在所述半导体块(2)内;侧电极(3),所述侧电极(3)中空,所述半导体块(2)设置在所述侧电极(3)内部;其中,所述中心电极放电端(1)包括冒盖(11)以及中心电极放电端本体(12),所述冒盖(11)设置在所述中心电极放电端(1)的端部,所述中心电极放电端本体(12)外壁上设置有绝缘涂层。本实用新型的半导体电嘴放电端结构在中心电极放电端本体外壁上设置有绝缘涂层,能够保证半导体块与侧电极外圆部位的绝缘。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 放电 结构 具有 | ||
【主权项】:
一种半导体电嘴放电端结构,其特征在于,所述半导体电嘴放电端结构包括:中心电极放电端(1);半导体块(2),所述半导体块(2)中空,所述中心电极放电端(1)设置在所述半导体块(2)内;侧电极(3),所述侧电极(3)中空,所述半导体块(2)设置在所述侧电极(3)内部;其中,所述中心电极放电端(1)包括冒盖(11)以及中心电极放电端本体(12),所述冒盖(11)设置在所述中心电极放电端(1)的端部,所述中心电极放电端本体(12)外壁上设置有绝缘涂层。
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