[实用新型]基于吸气剂的MEMS高真空封装结构有效

专利信息
申请号: 201520913888.8 申请日: 2015-11-17
公开(公告)号: CN205133146U 公开(公告)日: 2016-04-06
发明(设计)人: 赵照 申请(专利权)人: 合肥芯福传感器技术有限公司
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 230031 安徽省合肥*** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型提供一种基于吸气剂的MEMS高真空封装结构,包括封装腔体、设置在腔体内的MEMS器件和吸气剂,所述封装腔体包括封装基底和封装盖板,在所述封装基底或封装盖板上设置有用于支撑吸气剂的支撑装置,使吸气剂悬置在腔体内部,不与封装腔体内表面接触。具有上述支撑装置的封装腔体,在真空环境下对吸气剂进行加热激活时就可有效减少其热传递,避免其产生的热量通过封装基底或者封装盖板大量传递至IC/MEMS器件上,对IC/MEMS器件造成不利影响,更重要的是可以提高吸气剂的激活效率和成功率,减少吸气剂激活失败引起的封装结构的报废。
搜索关键词: 基于 吸气 mems 真空 封装 结构
【主权项】:
一种基于吸气剂的MEMS高真空封装结构,包括封装腔体、设置在腔体内的MEMS器件和吸气剂,所述封装腔体包括封装基底和封装盖板,其特征在于:在所述封装基底或封装盖板上设置有用于支撑吸气剂的支撑装置,使吸气剂悬置在腔体内部,不与封装腔体内表面接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥芯福传感器技术有限公司,未经合肥芯福传感器技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201520913888.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top