[实用新型]一种溅射镀膜掩膜版有效
申请号: | 201520919773.X | 申请日: | 2015-11-18 |
公开(公告)号: | CN205229663U | 公开(公告)日: | 2016-05-11 |
发明(设计)人: | 赖会琼;邢慧颖;杨丹;杨正军;王光强 | 申请(专利权)人: | 宁波东盛集成电路元件有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00 |
代理公司: | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人: | 杜军 |
地址: | 315800 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开一种溅射镀膜掩膜版,包括本体,本体为方形结构,本体长度为20mm,本体宽度为20mm,本体四个顶点位置均设有十字件,十字件长度和宽度均为1.2mm。相对现有技术,本实用新型具有多种图形,能够满足不同用户需求,使用便捷并且制造成本低。 | ||
搜索关键词: | 一种 溅射 镀膜 掩膜版 | ||
【主权项】:
一种溅射镀膜掩膜版,包括本体,其特征在于,本体为方形结构,本体长度为20mm,本体宽度为20mm,本体四个顶点位置均设有十字件,十字件长度和宽度均为1.2mm。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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