[实用新型]一种倒装发光二极管芯片

摘要

本实用新型提供一种倒装发光二极管芯片，所述倒装发光二极管芯片包括：衬底、外延结构、透明导电层、反射镜、绝缘沟槽、绝缘阻挡层、台面结构、反射导电层、钝化层、N电极以及P电极。本实用新型于倒装发光二极管芯片周侧做沟道绝缘，可以减少芯片的漏电流；于切割道区域增加反射镜，有利于提高产品亮度；另外，本实用新型将N-GaN的引出制作于N-GaN的侧壁及切割道区域，可以大大增加发光二极管的有效发光面积，提升光亮度；藉由N反射导电层以及P电极预留区域，在钝化层开孔后可以直接制作N电极及P电极，减少工艺步骤，降低生产成本。

主权项

一种倒装发光二极管芯片，其特征在于，包括：衬底；外延结构，包括依次层叠的N型层、量子阱层以及P型层；透明导电层，形成于所述外延结构表面；绝缘沟槽，形成于所述透明导电层及外延结构的周侧，其深度为直至所述N型层内部，所述绝缘沟槽内填充有绝缘材料；反射镜，形成于所述透明导电层表面；绝缘阻挡层，形成于所述反射镜表面；台面结构，形成于切割道区域，所述台面结构露出有N型层台面以及N型层侧壁；反射导电层，形成于所述N型层的台面、N型层侧壁以及绝缘阻挡层的部分表面，且与所述N型层的台面结构及N型层侧壁形成欧姆接触，并且，于所述绝缘阻挡层表面具有P电极预留区域；钝化层，覆盖于倒装发光二极管芯片表面，其具有直至所述反射导电层的N电极开孔，以及与所述P电极预留区域对应且直至所述透明导电层的P电极开孔；N电极，形成于所述N电极开孔内；以及P电极，形成于所述P电极开孔内。