[实用新型]一种芯片嵌入式垂直封装结构

摘要

本实用新型公开了一种芯片嵌入式垂直封装结构，属于半导体封装技术领域。其包括芯片单体和薄膜包封体，一个或一个以上所述芯片单体由背面嵌入薄膜包封体内，在所述芯片单体的上表面和薄膜包封体的上表面覆盖绝缘薄膜层，并于所述芯片电极的上表面开设绝缘薄膜层开口，在绝缘薄膜层的上表面形成再布线金属层，所述再布线金属层分别与芯片电极实现电性连接，在再布线金属层的最外层设有输入/输出端，在所述输入/输出端处形成连接件，所述薄膜包封体的背面设置硅基加强板。本实用新型实现了减薄产品厚度、提高了产品可靠性并实现了多芯片封装结构。

主权项

一种芯片嵌入式垂直封装结构，其包括上表面附有芯片电极（13）及相应电路布局的芯片单体（10），所述芯片单体（10）的芯片本体（11）的上表面覆盖芯片表面钝化层（15）并开设有芯片表面钝化层开口（151），芯片电极（13）的上表面露出芯片表面钝化层开口（151），其特征在于：还包括薄膜包封体（3），一个或一个以上所述芯片单体（10）由背面嵌入薄膜包封体（3）内，在所述芯片单体（10）的上表面和薄膜包封体（3）的上表面覆盖绝缘薄膜层（5），并于所述芯片电极（13）的上表面开设绝缘薄膜层开口（511），在绝缘薄膜层开口（511）内形成凸点下金属块（4），所述凸点下金属块（4）的纵截面呈T字状，所述凸点下金属块（4）与芯片电极（13）实现电性连接，在凸点下金属块（4）的最外层设有输入/输出端（411），在所述输入/输出端（411）处设置连接件（6），所述薄膜包封体（3）的背面设置硅基加强板（7），所述硅基加强板（7）面向薄膜包封体（3）的一面设置结合结构。