[实用新型]具有抗衰层的发光二极管

摘要

一种具有抗衰层的发光二极管，设有：一砷化镓衬底，该砷化镓衬底上设有分布布拉格反射器，分布布拉格反射器上设有n型砷磷化铝铟抗衰层，n型砷磷化铝铟抗衰层上设有n型限制层，n型限制层上设有构成发光二极管的核心发光区域的多量子阱有源区,多量子阱有源区上设有p型限制层；p型限制层上设有P型窗口层、P型窗口层上设有P型盖帽层，通过上述层结构的相互连接构成一发光二极管结构。本实用新型通过在分布布拉格反射器与n型磷化铝铟限制层之间插入一层经过设计的砷磷化铝铟抗衰层，不仅可以降低载流子受到该界面处界面散射的几率，增加了载流子注入效率，有效地降低了生长于其上的量子阱有源区的负面效应：而且，还可以进一步降低发光二极管的寿命衰减。

主权项

一种具有抗衰层的发光二极管，其特征在于：设有：一砷化镓(GaAs)衬底，该砷化镓(GaAs)衬底上设有分布布拉格反射器(DBR)，分布布拉格反射器(DBR)上设有n型砷磷化铝铟(In_xAl_1‑xAs_yP_1‑y)抗衰层，n型砷磷化铝铟(In_xAl_1‑xAs_yP_1‑y)抗衰层上设有n型限制层，n型限制层上设有构成发光二极管的核心发光区域的多量子阱有源区,多量子阱有源区上设有p型限制层；p型限制层上设有P型窗口层、P型窗口层上设有P型盖帽层，通过上述层结构的相互连接构成一发光二极管结构。