[实用新型]GaN基LED外延结构有效
| 申请号： | 201520933121.1 | 申请日： | 2015-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN205092260U | 公开（公告）日： | 2016-03-16 |
| 发明（设计）人： | 刘恒山;刘慰华;冯猛;陈伟;陈立人 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种GaN基LED外延结构，该LED外延结构从下向上依次包括：衬底，N型GaN层，MQW有源层，P型AlGaN层，P型GaN层。其中，N型GaN层包括依次排布的第一GaN层、高掺杂N型GaN层和第二GaN层，第一GaN层和第二GaN层分别由若干非掺杂层和掺杂层交替排列组成，且高掺杂N型GaN层掺杂浓度不小于所述掺杂层。本实用新型采用渐变的N型GaN层结构，能减少位错密度，有利电流扩展，提高材料的抗静电能力，同时对低电流密度的LED芯片有利于提高亮度；另一方面，此结构可以提高电子浓度，从而提高电子迁移率，降低发光电压，LED芯片电压比正常电压低3%-5%，提高了抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | gan led 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种GaN基LED外延结构，其特征在于，所述LED外延结构从下向上依次包括：衬底，N型GaN层，MQW有源层，P型AlGaN层，P型GaN层；所述N型GaN层包括依次排布的第一GaN层、高掺杂N型GaN层和第二GaN层；所述第一GaN层和第二GaN层分别由若干非掺杂层和掺杂层交替排列组成，且所述高掺杂N型GaN层掺杂浓度不小于所述掺杂层。
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