[实用新型]全固态纳秒脉冲发生器MOSFET驱动电路有效
| 申请号： | 201520949602.1 | 申请日： | 2015-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN205105184U | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 王建;张建;李伟;李成祥;张程;赵仲勇;姚陈果 | 申请（专利权）人： | 国家电网公司;国网新疆电力公司电力科学研究院;重庆大学 |
| 主分类号： | H03K17/04 | 分类号： | H03K17/04;H03K17/687;H03K5/12 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 100031 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种全固态纳秒脉冲发生器MOSFET驱动电路，用于产生驱动信号，包括光纤驱动单元、与光纤驱动单元连接的发纤发射单元、接收光纤发射单元光信号的光接收单元、接收光接收单元输出信号的驱动信号产生单元以及控制整个驱动电路通断的开关单元。其中驱动芯片为IXDN 609。本实用新型开通过程以低电阻对栅极电容充电，关断过程则为栅极电荷提供低电阻放电回路，以提高MOSFET的开关速度；驱动电路的栅极电压为+12V～+18V，确保被驱动的MOSFET开关的栅极不被击穿，同时确保被驱动的MOSFET开关可靠关断；4、驱动电路具有良好的频率特性，MOSFET开关工作在最好电压和频率下，其自身损耗较小；MOSFET开关用于高压回路中，驱动电路与整个控制电路在电位上严格隔离，确保控制电路安全工作。 | ||
| 搜索关键词： | 固态 脉冲 发生器 mosfet 驱动 电路 | ||
【主权项】：
一种全固态纳秒脉冲发生器MOSFET驱动电路，用于产生驱动信号，其特征在于：包括光纤驱动单元、与光纤驱动单元连接的发纤发射单元、接收光纤发射单元光信号的光接收单元、接收光接收单元输出信号的驱动信号产生单元以及控制整个驱动电路通断的开关单元。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国家电网公司;国网新疆电力公司电力科学研究院;重庆大学，未经国家电网公司;国网新疆电力公司电力科学研究院;重庆大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201520949602.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
