[实用新型]一种电子轰击型雪崩二极管

摘要

本实用新型公开了一种电子轰击型雪崩二极管，其结构从下到上依次是背面电极，此电极为Ti/Pt/Au电极；衬底，此衬底为n型Si；p型Si外延层；p型Si重掺杂层；正面电极，此电极为Ti/Pt/Au电极；SiO₂氧化层，此钝化层位于n型Si衬底、p型Si外延层以及p型Si重掺杂层的表面和侧面，起到钝化和降低暗电流的作用；玻璃钝化层，该层位于SiO₂氧化层上，加厚SiO₂氧化层并填充器件台面台阶。该种结构的雪崩二极管能够对电子实现收集并探测，同时在雪崩工作电压下，结区收集到的电子可以实现雪崩放大效应，制备工艺简便，暗电流低，可靠性高。

主权项

一种电子轰击型雪崩二极管，其特征在于：在n型Si衬底（6）上依次为p型Si外延层（4）、p型Si重掺杂层（1）、正面电极（2），SiO₂氧化层（5）位于p型Si外延层（4）和p型Si重掺杂层（1）的表面和侧面，玻璃钝化层（3）位于SiO₂氧化层（5）之上，背面电极（7）位于n型Si衬底（6）的下方。