[实用新型]用于光电转换的PN结光电二极管芯片有效
| 申请号： | 201520966902.0 | 申请日： | 2015-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN205194722U | 公开（公告）日： | 2016-04-27 |
| 发明（设计）人： | 雷润生 | 申请（专利权）人： | 雷润生 |
| 主分类号： | H01L31/103 | 分类号： | H01L31/103;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518057 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公布了一种用于光电转换的PN结光电二极管芯片，该芯片在PN结上面镀有一层吸收衰减膜，在衰减膜上可镀上一层增透膜减小反射。衰减膜和PN结之间还可以有一层性质比较稳定的隔离层，阻断衰减膜和PN结互相扩散。增加衰减膜的光电二极管的测量激光功率可以提高几十甚至几百倍，而且结构简单，散热方便。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 光电 转换 pn 光电二极管 芯片 | ||
【主权项】：
一种用于光电转换的PN结光电二极管芯片，其特征在于PN结上有一层光的衰减膜，衰减膜长在PN结入射光的面上，衰减膜吸收大部分的光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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