[实用新型]一种全彩氮化镓基LED芯片结构有效
| 申请号： | 201520978537.5 | 申请日： | 2015-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN205282497U | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 郝锐;易翰翔;刘洋;许徳裕 | 申请（专利权）人： | 广东德力光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/50 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 冯剑明 |
| 地址： | 529030 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种全彩氮化镓基LED芯片结构，包括氮化镓基的LED晶圆，LED晶圆包括衬底，衬底上依次设置有N-GaN层、发光层和P-GaN层，LED晶圆外设置有透明绝缘的光阻层，光阻层内不同区域分别掺入不同颗粒度和不同种类的量子点，使LED芯片形成红光区和绿光区。本实用新型的全彩氮化镓基LED芯片，利用掺有量子点的光阻层，将氮化镓基的LED晶圆发出的蓝光分别转化成红光和绿光，配合蓝光形成全彩光；同时，由于光阻层是采用软性的光刻胶制成，可取代钝化层更好的起到保护作用；光阻层取代钝化层还减少了设置钝化层和蚀刻钝化层两道工序，提高了LED发光芯片的生产效率，并降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 全彩 氮化 led 芯片 结构 | ||
【主权项】：
一种全彩氮化镓基LED芯片结构，其特征在于:包括氮化镓基的LED晶圆，所述LED晶圆包括衬底（10），所述衬底（10）上依次设置有N‑GaN层（20）、发光层（30）和P‑GaN层（40），LED晶圆外设置有透明绝缘的光阻层（60），所述LED芯片设置有红光区和绿光区。
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