[实用新型]一种石墨烯室温太赫兹波探测器有效
申请号: | 201520979022.7 | 申请日: | 2015-12-01 |
公开(公告)号: | CN205248274U | 公开(公告)日: | 2016-05-18 |
发明(设计)人: | 王林;刘昌龙;唐伟伟;陈效双;陆卫 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本专利公开一种石墨烯室温太赫兹波探测器,所述探测器件包括蓝宝石衬底和其上蒸镀对数周期天线结构以及引线电极,且太赫兹波耦合对数周期天线两边分别与对应的引线电极相连,在对数周期天线间距中转移具有载流子浓度可调和高迁移率的石墨烯导电沟道,保证石墨烯与两边对数周期天线互连。本专利的优点在于:器件的太赫兹响应高,可实现宽频、高速、高灵敏度、高信噪的太赫兹波探测;器件的集成度和小型化好,为实现太赫兹探测器大规模应用奠定基础。 | ||
搜索关键词: | 一种 石墨 室温 赫兹 探测器 | ||
【主权项】:
一种石墨烯太赫兹波探测器,包括石墨烯(1)、对数周期天线(2)、引线电极(3)、蓝宝石衬底(4),其特征在于:所述太赫兹波探测器在蓝宝石衬底(4)上蒸镀对数周期天线(2)结构以及引线电极(3),太赫兹波耦合对数周期天线(2)两边分别与对应的引线电极(3)相连,在对数周期天线(2)间距中转移石墨烯(1)导电沟道,保证石墨烯(1)与两边对数周期天线2互连;所述的蓝宝石衬底(4)的厚度为0.5~1mm;所述的对数周期天线(2)的尺寸为:外半径1~2mm,厚度100~200nm;所述的引线电极(3)的厚度为200~400nm;所述的导电沟道长度为6~80um。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的