[实用新型]一种二极管有效
| 申请号： | 201520981860.8 | 申请日： | 2015-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN205211762U | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 李志福 | 申请（专利权）人： | 朝阳无线电元件有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/866 | 分类号： | H01L29/866 |
| 代理公司： | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人： | 侯蔚寰 |
| 地址： | 122000 *** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种二极管，所述二极管包括，硅衬底、发光层、渐变层和两个PN结构，其中，所述PN结构，一个是扩散结，另一个是合金结；所述扩散结包围合金结，所述合金结的结深大于扩散结的结深；所述合金结和扩散结均为掺杂PN结，所述合金结的掺杂浓度小于扩散结的掺杂浓度，所述PN结构中的N型氮化硅层形成于所述衬底之上，所述发光层形成于N型氮化硅层之上；所述PN结构中的P型氮化硅层，形成于所述发光层之上，所述二极管还包括P+型氮化物层和N+型氮化物层，P+型氮化物层形成于所述P型氮化硅层之上，所述渐变层为氮化铟铝镓渐变层，形成于高P+型氮化物层之上，N+型氮化物层、形成于所述氮化铟铝镓渐变层之上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二极管 | ||
【主权项】：
一种二极管，其特征在于：所述二极管包括，硅衬底、发光层、渐变层和两个PN结构，其中，所述PN结构，一个是扩散结，另一个是合金结；所述扩散结包围合金结，所述合金结的结深大于扩散结的结深；所述合金结和扩散结均为掺杂PN结，所述合金结的掺杂浓度小于扩散结的掺杂浓度，所述PN结构中的N型氮化硅层形成于所述衬底之上，所述发光层形成于N型氮化硅层之上；所述PN结构中的P型氮化硅层，形成于所述发光层之上，所述二极管还包括P+型氮化物层和N+型氮化物层，P+型氮化物层形成于所述P型氮化硅层之上，所述渐变层为氮化铟铝镓渐变层，形成于高P+型氮化物层之上，N+型氮化物层、形成于所述氮化铟铝镓渐变层之上。
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