[实用新型]栅极限流型高效P-MOSFET驱动电路

摘要

本实用新型提供了一种栅极限流型高效P-MOSFET驱动电路，其包括：三极管Q2的基极和三极管Q3的基极连接，三极管Q2的发射极和三极管Q3的发射极之间通过电阻R2连接，三极管Q3的集电极接地，三极管Q3的基极连接至三极管Q4的集电极，三极管Q4的发射极接地，三极管Q4的基极用以接主控PWM，三极管Q2的集电极连接至场效应管Q1的源极，三极管Q2的基极和所述场效应管Q1的源极之间接有电阻R1，三级管Q2的发射极直接连接至所述场效应管Q1的栅极，场效应管Q1的漏极用以连接至输出端，上述构造使经过Q3的电流大大降低，减少了三极管Q3的发热，同时通过R2上的电压，有效控制场效应管Q1的开启和闭合，提高了工作效率，也大大减少了热量。

主权项

一种栅极限流型高效P‑MOSFET驱动电路，其特征在于，其包括：三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4，三极管Q2的基极和三极管Q3的基极连接，三极管Q2的发射极和三极管Q3的发射极之间通过一电阻R2连接，三极管Q3的集电极接地，三极管Q3的基极连接至三极管Q4的集电极，三极管Q4的发射极接地，三极管Q4的基极用以接主控PWM，三极管Q2的集电极连接至一场效应管Q1的源极，三极管Q2的基极和所述场效应管Q1的源极之间接有电阻R1，三极管Q2的发射极直接连接至所述场效应管Q1的栅极，所述场效应管Q1的源极用以连接至太阳能电源，所述场效应管Q1的漏极用以连接至输出端。