[实用新型]一种具有部分埋氧结构的IGBT有效
| 申请号： | 201520989870.6 | 申请日： | 2015-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN205264711U | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 陈利;徐承福;高耿辉;姜帆 | 申请（专利权）人： | 厦门元顺微电子技术有限公司;大连连顺电子有限公司;友顺科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361008 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种具有部分埋氧结构的IGBT，包括：N-型基区；位于所述N-型基区下表面内两侧的两个埋氧；位于所述N-型基区下表面内中部、所述两个埋氧之间的背P+发射区；位于所述N-型基区上表面内两侧的两个P型基区；位于所述两个P型基区上表面内中部的两个N+集电区；位于所述N-型基区上表面以及所述P型基区和N+集电区部分上表面的栅氧化层；位于所述栅氧化层上表面的多晶栅。本实用新型利用在N-型基区背面引入I层二氧化硅，改变了器件内部电势的分布，从而使耐压得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 部分 结构 igbt | ||
【主权项】：
一种具有部分埋氧结构的IGBT，其特征在于，包括：N‑型基区(1)；位于所述N‑型基区(1)下表面内两侧的两个埋氧(4)；位于所述N‑型基区(1)下表面内中部、所述两个埋氧(4)之间的背P+发射区(3)；位于所述N‑型基区(1)上表面内两侧的两个P型基区(2)；位于所述两个P型基区(2)上表面内中部的两个N+集电区(5)；位于所述N‑型基区(1)上表面以及所述P型基区(2)和N+集电区(5)部分上表面的栅氧化层(6)；位于所述栅氧化层(6)上表面的多晶栅(7)。
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