[实用新型]一种快速软恢复二极管有效
申请号: | 201520989889.0 | 申请日: | 2015-12-03 |
公开(公告)号: | CN205264708U | 公开(公告)日: | 2016-05-25 |
发明(设计)人: | 陈利;徐承福;高耿辉;姜帆 | 申请(专利权)人: | 厦门元顺微电子技术有限公司;大连连顺电子有限公司;友顺科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L29/868;H01L21/33 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 361008 福建省厦*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本实用新型公开一种快速软恢复二极管,包括:一阴极n+区(1),一p+缓冲区(2),一n缓冲区(3),一n-漂移区(4),一p基区(5)和一阳极p+区(6)。本实用新型在阴极侧隐埋的p+缓冲区,在反向恢复期间可以向n-漂移区注入少数载流子空穴,降低nn+结处的电场强度,改善反向恢复软度,并提高了抗反向恢复动态雪崩能力。 | ||
搜索关键词: | 一种 快速 恢复 二极管 | ||
【主权项】:
一种快速软恢复二极管,其特征在于,包括:一阴极n+区(1);一p+缓冲区(2),配置于该阴极n+区(1)上;一n缓冲区(3),配置于该阴极n+区(1)及该p+缓冲区(2)上并覆盖该p+缓冲区(2);一n‑漂移区(4),配置于该n缓冲区(3)上;一p基区(5),配置于该n‑漂移区(4)上;一阳极p+区(6),配置于该p基区(5)上。
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