[实用新型]LED芯片封装结构有效
| 申请号： | 201520997938.5 | 申请日： | 2015-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN205376566U | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 李庆 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种LED芯片封装结构，所述LED芯片包括衬底、N型半导体层、发光层、P型半导体层及N电极和P电极，所述LED芯片上预设有用于进行MESA光刻的MESA线，所述P型半导体层、发光层及部分N型半导体层沿MESA线刻蚀形成有N台阶，所述N台阶上设有支撑平台，所述N电极包裹所述支撑平台并与N型半导体层电性连接，所述N电极的上边缘与MESA线之间的距离大于N电极的下边缘与MESA线之间的距离，所述N电极上通过焊球与焊接线电性连接。本实用新型通过在N台阶上设置支撑平台，N电极设于支撑平台的上方和侧边，支撑平台能够有效释放焊球在N电极上表面的表面应力，减小了焊接时N电极的变形，有效提高了LED器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种LED芯片封装结构，所述LED芯片包括衬底、N型半导体层、发光层、P型半导体层及N电极和P电极，其特征在于，所述LED芯片上预设有用于进行MESA光刻的MESA线，所述P型半导体层、发光层及部分N型半导体层沿MESA线刻蚀形成有N台阶，所述N台阶上设有支撑平台，所述N电极包裹所述支撑平台并与N型半导体层电性连接，所述N电极的上边缘与MESA线之间的距离大于N电极的下边缘与MESA线之间的距离，所述N电极上通过焊球与焊接线电性连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于聚灿光电科技股份有限公司，未经聚灿光电科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201520997938.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
